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纳米晶嵌入单晶外延碳化硅的高稳定低损耗微波二极管

价格:¥  面议  万元

公开号:CN104701385A

专利(申请号):CN201510025277.4

所属行业:

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专利交易信息

专利名称 纳米晶嵌入单晶外延碳化硅的高稳定低损耗微波二极管     
国内专利
申请号/专利号
(例如:CN,JP)
CN201510025277.4 专利权人 温州大学
申请日 2015-01-19 授权日 2016-03-30
公开(公告)号
(例如:CN,JP)
CN104701385A 法律状态 已授权
行业分类 一级    二级    三级 
意向价格 面议 万元 权属人所属地域 省    市    区 
IPC分类 一级    二级    三级 
专利类别 发明
是否有PCT 选项:
合作方式 技术转让 
专利摘要
本发明公开了纳米晶嵌入单晶外延碳化硅的高稳定性低损耗微波二极管及工艺。结构(P+)4H-nc-SiC/[(P-)4H-nc-SiC/(N-)6H-c-SiC]/(N-)6H-c-SiC/[(P+)4H-nc-SiC/(N+)6H-c-SiC],包括(P+)4H-nc-SiC/(N+)6H-c-SiC复合阴极、(N-)6H-c-SiC基区、(P-)4H-nc-SiC/(N-)6H-c-SiC复合过渡层、(P+)4H-nc-SiC阳极。采用磁控溅射、RIEPECVD技术研制。P/N交界局域耗尽,器件内结电容降低,适用于微波频段,温度稳定性和耐电压能力提高,反向过程时间缩短,损耗减小。(18-580)

专利相关信息

价值度评估结果

价值分

评估时间

评估时间为,评估报告以该评估时间进行的评估为准。

评估说明

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